本发明涉及建筑装修材料技术领域，具体涉及到一种漫反射蜡质光感瓷砖及其制备方法。本申请的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，通过采用非接触式喷砂处理，利用高压将氧化铝、石英砂、碳化硅等直接喷射在瓷砖表面，对原始表面进行一个立体抛光，保留原来的砖面起伏结构，通过调整喷射介质粒度的大小和种类，逐步得到一个具有不用高低起伏的砖面，使透明保护釉层表面形成大量的浅浅的凹坑，在光的漫反射作用下，使陶瓷砖表面更加柔和；再利用碳化硅刷进行刷抛处理，碳化硅刷的目数从80‑320目逐渐排列，最终得到一个砖面亮度在20‑60
S1、在陶瓷坯体表面施一层面釉，所述面釉的比重为1.8‑1.88g/ml，其流速为30‑45s，
S3、将喷墨打完图案的表面在通过淋釉器淋一层透明保护釉层，淋釉的比重控制在
S4、淋釉完成后进窑炉在1200℃高温烧成45‑55min，得到具有一层透明保护层的瓷砖
S5、通过高压对所述瓷砖半成品的砖面进行非接触式喷砂处理，得到一个具有高低起
2.根据权利要求2所述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，其特征在于：所述透明保护
3.根据权利要求1所述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，其特征在于：所述高压处理
的参数为0.5‑0.7Mpa，所述喷砂处理的喷射角度控制在55‑80°之间。
4.根据权利要求1所述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，其特征在于：所述喷砂处理
5.根据权利要求4所述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，其特征在于：所述砂粒的粒
6.根据权利要求5所述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，其特征在于：所述砂粒的粒
7.根据权利要求1所述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，其特征在于：所述碳化硅刷
的目数为80‑320目，且所述碳化硅刷包括多组，多组所述碳化硅刷逐渐排列。
8.根据权利要求1所述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，其特征在于：所述漫反射蜡
9.一种漫反射蜡质光感瓷砖，其特征在于：采用权利要求1‑8任一所述的漫反射蜡质光
[0001]本发明涉及建筑装修材料技术领域，具体涉及到一种漫反射蜡质光感瓷砖及其制
[0002]随着现在物质文化水平的提高及环境卫生的普及，人们对居住生活环境的要求也
越来越高，陶瓷砖作为居住环境装饰的一部分，人们更希望砖面更平整细腻光滑，触感好，
容易清洁，表面光泽度低，不容易因光线对眼睛造成伤害，因此，研究表面平整细腻光滑且
光泽度低的柔光陶瓷砖是人们提高生活质量的必然要求。柔光砖是指瓷砖表面反射介于强
光与弱光之间的一种瓷砖，既有亮光瓷砖的高调明艳，也有哑光瓷砖的低调内敛。作为一种
新型技术瓷砖产品，柔光砖是通过降低反光率，达到人体视觉感受比较好的舒适度，以及无
[0003]但目前市场上的柔光砖制品，常采用化学方法进行蚀刻获得，如专利号
CN7.0公开了一种具有柔光效果的陶瓷砖及其制备方法，其制备方法，包括以
下步骤：在陶瓷坯体表面布施微晶粉，经烧成后，得微晶砖；对微晶砖进行热处理，得半柔光
砖；对半柔光砖进行表面酸蚀处理，制得。本发明通过先在陶瓷坯体表面布施一层微晶粉，
在高温烧成后，制得微晶砖；然后对微晶砖进行二次热处理，微晶层中析出大量的微晶，使
微晶层的透度降低，这些微晶在釉面均匀分布且晶粒大小大于光的波长，从而在釉面形成
柔和的光感效果；再对微晶层表面进行酸蚀处理，使微晶层表面形成大量的浅浅的凹坑，在
光的漫反射作用下，使陶瓷砖表面更加柔化，从而制得具有柔光效果的陶瓷砖，但是陶瓷很
多是耐腐蚀产品从而易导致产品的生产效率低下，而且腐蚀后的砖面毛孔较多耐防污不
[0004]而采用弹性磨块接触式抛光，通过将整个砖面抛成光面然后再上光，产品出来是
镜面效果，光污染比较严重，而且对砖面不平的地方很容易造成漏抛或抛多；而采用柔抛技
术制得的柔光砖制品，其经过抛光后同样形成了成镜面反射，其亮度基本是从原来的90度
[0005]因此，亟需开发一种有亮度但是属于漫反射的柔和光感，亮而不耀的漫反射蜡质
[0006]本发明的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种漫反射蜡
[0007]为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：一种漫反射蜡质光感瓷砖的制备
[0008]S1、在陶瓷坯体表面施一层面釉，所述面釉的比重为1.8‑1.88g/ml，其流速为30‑
[0009]S2、将施完面釉的坯体，经过喷墨印花机，将大理石图案喷印在面釉表面；
[0010]S3、将喷墨打完图案的表面在通过淋釉器淋一层透明保护釉层，淋釉的比重控制
[0011]S4、淋釉完成后进窑炉在1200℃高温烧成45‑55min，得到具有一层透明保护层的
[0012]S5、通过高压对所述瓷砖半成品的砖面进行非接触式喷砂处理，得到一个具有高
[0014]进一步的，透明保护釉层的化学组成，按重量百分比计包括SiO：55‑70％，AlO：
[0015]进一步的，高压处理的参数为0.5‑0.7Mpa，所述喷砂处理的喷射角度控制在55‑
[0016]进一步的，喷砂处理的砂粒包括氧化铝、石英砂、碳化硅中的一种或多种。
[0019]进一步的，碳化硅刷的目数为80‑320目，且所述碳化硅刷包括多组，多组所述碳化
[0021]一种漫反射蜡质光感瓷砖，采用上述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法制得。
[0022]本发明的有益效果：由上述对本发明的描述可知，与现有技术相比，本发明的漫反
射蜡质光感瓷砖的制备方法，通过采用非接触式喷砂处理，利用高压将氧化铝、石英砂、碳
化硅等直接喷射在瓷砖表面，对原始表面进行一个立体抛光，保留原来的砖面起伏结构，通
过调整喷射介质粒度的大小和种类，逐步得到一个具有不用高低起伏的砖面，使透明保护
釉层表面形成大量的浅浅的凹坑，在光的漫反射作用下，使陶瓷砖表面更加柔化；再利用碳
化硅刷进行刷抛处理，碳化硅刷的目数从80‑320目逐渐排列，通过调整碳化硅刷磨头不同
目数的最终得到一个砖面亮度在20‑60度左右，具有漫反射的蜡质砖面，使得该瓷砖具有良
[0023]本申请通过采用物理方法，不仅提高了生产效率，而且有效减少了环境的污染。
[0025]图2为本发明优选实施例中漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法流程图。
[0026]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描
[0028]参照图1和图2所示，本发明的优选实施例，一种漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法，
[0029]S1、在陶瓷坯体表面施一层面釉，所述面釉的比重为1.8‑1.88g/ml，其流速为30‑
[0030]S2、将施完面釉的坯体，经过喷墨印花机，将大理石图案喷印在面釉表面；
[0031]S3、将喷墨打完图案的表面在通过淋釉器淋一层透明保护釉层，淋釉的比重控制
[0032]其中，透明保护釉层的化学组成，按重量百分比计包括SiO：55‑70％，AlO：15‑
[0033]S4、淋釉完成后进窑炉在1200℃高温烧成45‑55min，得到具有一层透明保护层的
[0034]S5、通过高压对所述瓷砖半成品的砖面进行非接触式喷砂处理，得到一个具有高
[0035]其中，该高压处理的参数为0.5‑0.7Mpa，所述喷砂处理的喷射角度控制在55‑80°
之间，其实施的方法包括压入式喷砂或者吸入式喷砂，或者按干式或者液体混合式都在本
专利包括之内；该喷砂处理的砂粒包括刚玉，石英砂，钢珠、氧化铝、石英砂、碳化硅中的一
[0036]砂粒的粒度呈小大不一，具体地，砂粒的粒度为0.5‑2.5mm；
[0037]喷砂处理的介质包括氧化铝、石英砂、碳化硅中的一种或多种；该介质的粒度呈小
[0038]S6、利用碳化硅刷进行刷抛处理，获得砖面亮度为30度的漫反射蜡质光感瓷砖；
[0039]其中，该碳化硅刷的目数为240目，且所述碳化硅刷包括多组，多组所述碳化硅刷
[0041]本实施例与实施例一的区别在于：获得砖面亮度为60度的漫反射蜡质光感瓷砖；
其中，该碳化硅刷的目数为320目，且所述碳化硅刷包括多组，多组所述碳化硅刷逐渐排列，
[0042]一种漫反射蜡质光感瓷砖，采用上述的漫反射蜡质光感瓷砖的制备方法制得，即
通过采用非接触式喷砂处理，利用高压将氧化铝、石英砂、碳化硅等直接喷射在瓷砖表面，
对原始表面进行一个立体抛光，保留原来的砖面起伏结构，通过调整喷射介质粒度的大小
和种类，逐步得到一个具有不用高低起伏的砖面，后面在利用碳化硅刷进行刷抛处理，碳化
硅刷的目数从80目‑320目逐渐排列，通过调整碳化硅刷磨头不同目数的最终得到一个砖面
[0043]在不出现冲突的前提下，本领域技术人员可以将上述附加技术特征自由组合以及
[0044]可以理解，本发明是通过一些实施例进行描述的，本领域技术人员知悉的，在不脱
离本发明的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另
外，在本发明的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不
会脱离本发明的精神和范围。因此，本发明不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入
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